E-Dergi SEKTÖRLER HABERLER ÜRÜN TANITIMLARI TEKNİK YAZILAR DOSYALAR RÖPORTAJLAR BAŞARI HİKAYELERİ UZMAN GÖRÜŞÜ YAZARLAR FUARLAR ETKİNLİKLER PROFİLLER Editörden Künye YAYIN KURULU ARŞİV ABONELİK İLETİŞİM
Toshiba’dan NAND Flash Bellek

Toshiba, çip kapasitesi ve performansında büyük gelişmeler sağlayan NAND flash teknolojisinde bir atılım daha gerçekleştirdi. 19 nanometre neslinde Toshiba, hücre başına 3-bit’lik, 128 GB kapasiteli, diğer hücre başına 3-bit cihazlara göre, dünyanın en küçük 170 mm2’lik yongasına ve en hızlı yazma hızına (18MB/s) sahip çipini geliştirdi.

 

TEE GMBH Türkiye, Balkanlar ve Ortadoğu Genel Müdürü Murat George Şahin; “Bu teknolojiyle NAND Flash’ın kaşifi olan Toshiba, yeni bir çığır açıyor” dedi.

 
NAND flash belek üreticileri; USB bellekler ve hafıza kartları gibi uygulamalar için, rekabetçi maliyetlerle yüksek kapasite talebine karşılık vermek zorunda olduğunu belirterek, Toshiba’nın, inovatif teknolojilerini uygulayarak, her ikisini de başardığını belirttiler. 
 
Flash bellek yeni hücre başına 3-bit 19 nm nesil cihaz, üç adımlı programlama algoritması ve transistörler için Air-Gap teknolojisini kullanarak, bellek hücreleri arasındaki bağlantıyı %5’e kadar efektif bir şekilde düşürmekte ve 18MB/s yazma hızına ulaşmaktadır. Üç aşamalı yazma teknolojisindeki ikinci aşamada, kabaca dağıtım yapılırken; üçüncü aşamada dağıtım hem sıklaştırılır, hem de sınırları iyi bir şekilde tanımlanır.
 
Toshiba  çipin çevresindeki devre yapısını da optimize ederek, mevcut çiplerin alanına göre %20 oranında azalma sağlamış ve şu ana kadar, bu kapasitedeki en küçük yonga olan 170 mm2’lik alana önemli ölçüde katkı sağlamıştır.
 
Paylaş Tweet Paylaş
1542 kez okundu
En Çok Okunanlar Son Eklenenler
YAYIN AKIŞI
FACEBOOK
TWITTER
INSTAGRAM